Method for forming channel hole plug of three-dimensional memory device
WO2019200561
Art A1
24. Oktober 2019
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019200561
- Aktenzeichen
- EP18915180
- Anmeldetag
- 18. April 2018
- Veröffentlichung
- 24. Oktober 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
996 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.