Semiconductor device having porous region embedded structure and method of manufacture thereof
Anmelder: MURATA MANUFACTURING CO., LTD, COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019202046
- Aktenzeichen
- EP19718173
- Anmeldetag
- 17. April 2019
- Veröffentlichung
- 24. Oktober 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C25D11/08C25D11/10C25D11/12C25D11/18C25D11/24C25D11/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- MURATA MANUFACTURING CO., LTD
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES - Land
- 🇯🇵 Japan
Japanisches Elektronikunternehmen mit Sitz in Kyoto. Murata entwickelt und produziert elektronische Bauelemente wie Kondensatoren, Sensoren und Kommunikationsmodule für Elektronikgeräte.
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Die Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) ist eine französische staatliche Forschungseinrichtung mit Schwerpunkt Kernenergie, alternative Energien und Grundlagenforschung. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Mess- und Prüftechnik, ergänzt durch Software, Energietechnik und Werkstoffkunde. Anmeldungen sind seit 2000 durchgehend belegt.
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