Magnetoresistive element, magnetic memory device, and writing and reading method for magnetic memory device

WO2019203132 Art A1 24. Oktober 2019

Anmelder: TOHOKU UNIVERSITY 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2019203132
Aktenzeichen
EP19789344
Anmeldetag
11. April 2019
Veröffentlichung
24. Oktober 2019
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/8239G11C11/16G11C11/18H01L27/105H01L43/02H01L43/08
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
TOHOKU UNIVERSITY
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Tohoku University

Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.

837 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

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