Low Temperature Molybdenum Film Depositon Utilizing Boron Nucleation Layers

WO2019204382 Art A1 24. Oktober 2019

Anmelder: ENTEGRIS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019204382
Aktenzeichen: EP19788503
Anmeldetag: 17. April 2019
Veröffentlichung: 24. Oktober 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768C23C16/40C23C16/02C23C16/455

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: ENTEGRIS, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Entegris

US-amerikanischer Hersteller von Spezialmaterialien und Filtrationslösungen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Massachusetts.

1.106 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von

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