Dual-Gate Mosfet Structure
WO2019205537
Art A1
31. Oktober 2019
Anmelder: NANJING UNIVERSITY OF POSTS AND TELECOMMUNICATIONS 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019205537
- Aktenzeichen
- EP18915817
- Anmeldetag
- 25. Oktober 2018
- Veröffentlichung
- 31. Oktober 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NANJING UNIVERSITY OF POSTS AND TELECOMMUNICATIONS
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Nanjing University of Posts and Telecommunications
Die Nanjing University of Posts and Telecommunications ist eine staatliche Hochschule in China mit Schwerpunkt Informations- und Kommunikationstechnik. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Software sowie Nachrichtentechnik und Halbleiterbauelemente, ergänzt durch Energie- und Messtechnik. Die Anmeldungen von 2012 bis 2025 reichen von Leistungshalbleitern bis zu organischen Fotodetektoren.
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