Three-dimensional memory device and methods of making the same using replacement drain select gate electrodes

WO2019209408 Art A1 31. Oktober 2019

Anmelder: SANDISK TECHNOLOGIES LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019209408
Aktenzeichen: EP19793154
Anmeldetag: 28. Februar 2019
Veröffentlichung: 31. Oktober 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11582H01L27/11575H01L27/085

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SANDISK TECHNOLOGIES LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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