Through array contact (tac) for three-dimensional memory devices
WO2019210477
Art A1
7. November 2019
Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019210477
- Aktenzeichen
- EP18917389
- Anmeldetag
- 3. Mai 2018
- Veröffentlichung
- 7. November 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/11565
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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