Memory circuit device and a method for testing the same
WO2019210860
Art A1
7. November 2019
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019210860
- Aktenzeichen
- EP19796639
- Anmeldetag
- 30. April 2019
- Veröffentlichung
- 7. November 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C29/00G11C29/44
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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