Semiconductor device
WO2019211697
Art A1
7. November 2019
Anmelder: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019211697
- Aktenzeichen
- EP19796740
- Anmeldetag
- 22. April 2019
- Veröffentlichung
- 7. November 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G06F12/0893G11C5/14G11C7/04G11C11/405G11C11/4074H01L21/8242H01L27/108H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
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