Method for forming gate insulation film, method for producing transistor, method for producing circuit substrate, transistor, circuit substrate, and electronic device

WO2019211888 Art A1 7. November 2019

Anmelder: NIKON CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019211888
Aktenzeichen: EP18917324
Anmeldetag: 1. Mai 2018
Veröffentlichung: 7. November 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336G03F7/20H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: NIKON CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nikon

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio. Nikon entwickelt optische Geräte und Präzisionstechnik, darunter Kameras, Objektive, Mikroskope sowie Lithografie- und Messsysteme für die Halbleiterfertigung.

5.287 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

Vertreten von