Mechanically Improved Microelectronic Thermal Interface Structure For Low die Stress

WO2019212610 Art A1 7. November 2019

Anmelder: RAYTHEON COMPANY, KELVIN THERMAL TECHNOLOGIES, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019212610
Aktenzeichen: EP19702795
Anmeldetag: 14. Januar 2019
Veröffentlichung: 7. November 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/367H01L23/373H01L23/42

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: RAYTHEON COMPANY
KELVIN THERMAL TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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