Three-dimensional nand memory device with drain select gate electrode shared between multiple strings

WO2019212616 Art A1 7. November 2019

Anmelder: SANDISK TECHNOLOGIES LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019212616
Aktenzeichen: EP19796273
Anmeldetag: 7. Februar 2019
Veröffentlichung: 7. November 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11524H01L27/1157

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SANDISK TECHNOLOGIES LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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