Predicting Etch Characteristics in Thermal Etching And Atomic Layer Etching

WO2019212810 Art A1 7. November 2019

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019212810
Aktenzeichen: EP19796279
Anmeldetag: 23. April 2019
Veröffentlichung: 7. November 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/306H01L21/311H01L21/02H01L21/324

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von