Verfahren zum Durchtrennen eines Epitaktisch Gewachsenen Halbleiterkörpers und Halbleiterchip

WO2019215183 Art A1 14. November 2019

Anmelder: OSRAM OLED GmbH 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019215183
Aktenzeichen: EP19723749
Anmeldetag: 7. Mai 2019
Veröffentlichung: 14. November 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: OSRAM OLED GmbH
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 OSRAM

Deutsches Unternehmen für Lichttechnik mit Sitz in München, spezialisiert auf LED-Halbleiterlichtquellen, optische Halbleiter und Automobilbeleuchtung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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