Silicon carbide epitaxial substrate and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

WO2019216024 Art A1 14. November 2019

Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019216024
Aktenzeichen: EP19800903
Anmeldetag: 15. März 2019
Veröffentlichung: 14. November 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20C30B29/36C30B33/02C30B33/08H01L21/205H01L21/336H01L29/12H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

4.812 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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