Magnetoresistance effect element, magnetic memory array, magnetic memory device, and write method for magnetoresistance effect element

WO2019216099 Art A1 14. November 2019

Anmelder: TOHOKU UNIVERSITY 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019216099
Aktenzeichen: EP19799507
Anmeldetag: 10. April 2019
Veröffentlichung: 14. November 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/82G11C11/16H01L21/8239H01L27/105H01L43/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOHOKU UNIVERSITY
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tohoku University

Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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