Power semiconductor device, method for manufacturing same, and power conversion device
WO2019216160
Art A1
14. November 2019
Anmelder: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019216160
- Aktenzeichen
- EP19799093
- Anmeldetag
- 19. April 2019
- Veröffentlichung
- 14. November 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L25/07H01L21/56H01L23/50H01L25/18
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Electric
Japanisches Unternehmen, das Elektro- und Elektroniktechnik entwickelt und herstellt, darunter Automatisierung, Energie-, Klima- und Fahrzeugtechnik.
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