Epitaxial Growth On A Gallium Arsenide Phosphide Capped Material On A Gallium Arsenide Substrate

WO2019217798 Art A1 14. November 2019

Anmelder: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019217798
Aktenzeichen: EP19799725
Anmeldetag: 10. Mai 2019
Veröffentlichung: 14. November 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/324H01L33/10H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 University of California

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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