Ternary content addressable memory based on memory diode

WO2019218447 Art A1 21. November 2019

Anmelder: ZHEJIANG UNIVERSITY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019218447
Aktenzeichen: EP18918771
Anmeldetag: 16. Juli 2018
Veröffentlichung: 21. November 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L45/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: ZHEJIANG UNIVERSITY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Zhejiang University

Chinesische Universität mit Sitz in Hangzhou, eine der führenden Forschungshochschulen Chinas mit breitem Fächerspektrum einschließlich Ingenieurwissenschaften und Materialforschung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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