Layered aln, method for manufacturing same, and aln nanosheet exfoliated therefrom

WO2019221583 Art A1 21. November 2019

Anmelder: INDUSTRY-ACADEMIC COOPERATION FOUNDATION, YONSEI U 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019221583
Aktenzeichen: EP19803859
Anmeldetag: 10. Juni 2019
Veröffentlichung: 21. November 2019
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/68C30B29/10H01L23/14H01L41/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INDUSTRY-ACADEMIC COOPERATION FOUNDATION, YONSEI U
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University

Technologietransfer- und Patentverwertungsstelle der Yonsei University in Südkorea, verwaltet Erfindungen aus der universitären Forschung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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