Nanowire transistor and fabrication method therefor

WO2019223115 Art A1 28. November 2019

Anmelder: TSINGHUA UNIVERSITY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019223115
Aktenzeichen: EP18919783
Anmeldetag: 3. August 2018
Veröffentlichung: 28. November 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/06H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TSINGHUA UNIVERSITY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Tsinghua University

Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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