Method for producing group iii-v compound semiconductor device

WO2019224966 Art A1 28. November 2019

Anmelder: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019224966
Aktenzeichen: EP18919551
Anmeldetag: 24. Mai 2018
Veröffentlichung: 28. November 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/223H01L21/22H01S5/042H01S5/343

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Mitsubishi Electric

Japanisches Unternehmen, das Elektro- und Elektroniktechnik entwickelt und herstellt, darunter Automatisierung, Energie-, Klima- und Fahrzeugtechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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