Composition for etching silicon nitride film and etching method using same
WO2019225856
Art A1
28. November 2019
Anmelder: SAMSUNG SDI CO., LTD. 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019225856
- Aktenzeichen
- EP19807620
- Anmeldetag
- 5. April 2019
- Veröffentlichung
- 28. November 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C09K13/06H01L21/306
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SAMSUNG SDI CO., LTD.
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
Samsung SDI
Südkoreanisches Unternehmen der Samsung-Gruppe, das Batterien und Energiespeichersysteme für Elektrofahrzeuge, Elektronikgeräte und stationäre Anwendungen entwickelt und produziert.
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Vertreten von
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