Composition for etching silicon nitride film and etching method using same

WO2019225856 Art A1 28. November 2019

Anmelder: SAMSUNG SDI CO., LTD. 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2019225856
Aktenzeichen
EP19807620
Anmeldetag
5. April 2019
Veröffentlichung
28. November 2019
Rechtsraum
WO
IPC
C09K13/06H01L21/306
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
SAMSUNG SDI CO., LTD.
Land
🇰🇷 Südkorea
🇰🇷 Samsung SDI

Südkoreanisches Unternehmen der Samsung-Gruppe, das Batterien und Energiespeichersysteme für Elektrofahrzeuge, Elektronikgeräte und stationäre Anwendungen entwickelt und produziert.

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