Fine grained 3C-SiC thick films and a process for preparing the same
WO2019227395
Art A1
5. Dezember 2019
Anmelder: WUHAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY, GOTO, Takashi, IBIDEN CO., LTD. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019227395
- Aktenzeichen
- EP18920693
- Anmeldetag
- 31. Mai 2018
- Veröffentlichung
- 5. Dezember 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C23C16/32C23C16/48
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- WUHAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
GOTO, Takashi
IBIDEN CO., LTD. - Land
- 🇨🇳 China
🇯🇵
Ibiden
Ibiden ist ein japanischer Hersteller elektronischer Materialien mit Sitz in Ogaki, spezialisiert auf IC-Substrate für Halbleiter sowie Keramikprodukte für die Automobil- und Elektronikindustrie.
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