High-performance quantum dot intermediate band graphene-schottky junction solar cell and preparation thereof

WO2019227825 Art A1 5. Dezember 2019

Anmelder: South China University of Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019227825
Aktenzeichen: EP18920640
Anmeldetag: 19. Oktober 2018
Veröffentlichung: 5. Dezember 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/07H01L31/18H01L31/0304

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: South China University of Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 South China University of Technology

Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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