Vapor deposition material containing silicon oxide, and method for producing base material provided with silicon oxide layer using same
WO2019230571
Art A1
5. Dezember 2019
Anmelder: AGC INC. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019230571
- Aktenzeichen
- EP19811739
- Anmeldetag
- 23. Mai 2019
- Veröffentlichung
- 5. Dezember 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C23C14/24C23C14/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- AGC INC.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
AGC (Asahi Glass)
Japanischer Glas- und Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, früher als Asahi Glass Company firmierend. AGC entwickelt Flachglas, elektronische Materialien, Spezialchemikalien sowie Glasprodukte für Automobil-, Bau- und Elektronikindustrie.
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