Semiconductor device, and method for producing semiconductor device

WO2019234561 Art A1 12. Dezember 2019

Anmelder: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019234561
Aktenzeichen: EP19814394
Anmeldetag: 31. Mai 2019
Veröffentlichung: 12. Dezember 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/365H01L21/336H01L21/8234H01L21/8242H01L27/06H01L27/088H01L27/108H01L27/1156H01L29/786H01L29/788H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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