Anodic oxidation device, anodic oxidation method, and method for manufacturing cathode for anodic oxidation device

WO2019235047 Art A1 12. Dezember 2019

Anmelder: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019235047
Aktenzeichen: EP19815921
Anmeldetag: 2. April 2019
Veröffentlichung: 12. Dezember 2019
Rechtsraum: WO
IPC: C25D17/10C01B33/02C25D17/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.180 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen