Heterojunction field effect transistor and preparation method therefor

WO2019241905 Art A1 26. Dezember 2019

Anmelder: Shenzhen University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019241905
Aktenzeichen: EP18923680
Anmeldetag: 19. Juni 2018
Veröffentlichung: 26. Dezember 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/778

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Shenzhen University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Shenzhen University

Shenzhen University ist eine staatliche Universität in Shenzhen, China, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Elektrotechnik, Materialwissenschaft und Optik.

1.287 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von