Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

WO2019244485 Art A1 26. Dezember 2019

Anmelder: FUJI ELECTRIC CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019244485
Aktenzeichen: EP19822200
Anmeldetag: 26. April 2019
Veröffentlichung: 26. Dezember 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336H01L29/06H01L29/12H01L29/739H01L29/861H01L29/868

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FUJI ELECTRIC CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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