Laser annealing method for semiconductor device, semiconductor device, laser annealing method, control device for laser annealing device, and laser annealing device
WO2019244665
Art A1
26. Dezember 2019
Anmelder: SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES, LTD., FUJI ELECTRIC CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019244665
- Aktenzeichen
- EP19822213
- Anmeldetag
- 6. Juni 2019
- Veröffentlichung
- 26. Dezember 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/265H01L21/268H01L21/336H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES, LTD.
FUJI ELECTRIC CO., LTD. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Heavy Industries
Japanischer Industriekonzern mit Sitz in Tokio. Sumitomo Heavy Industries fertigt Maschinenbauprodukte, Baumaschinen, Getriebe sowie Anlagen für Umwelttechnik und Schiffbau.
1.612 Patente in unserer Datenbank
🇯🇵
Fuji Electric
Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.
2.075 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
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