Oxide semiconductor thin film, thin film transistor and method of manufacturing same, and sputtering target

WO2019244945 Art A1 26. Dezember 2019

Anmelder: ULVAC, INC. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019244945
Aktenzeichen: EP19823298
Anmeldetag: 19. Juni 2019
Veröffentlichung: 26. Dezember 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786C23C14/08C23C14/34H01L21/363

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: ULVAC, INC.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 ULVAC

Japanisches Unternehmen mit Sitz in Chigasaki, spezialisiert auf Vakuumtechnik sowie Anlagen für die Halbleiter- und Displayfertigung.

444 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen