Vertically integrated three-dimensional flash memory for improved cell reliability, and method for manufacturing same

WO2019245106 Art A1 26. Dezember 2019

Anmelder: KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019245106
Aktenzeichen: EP18923748
Anmeldetag: 17. September 2018
Veröffentlichung: 26. Dezember 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11556H01L27/11524H01L27/11529H01L27/11582H01L27/1157H01L27/11573

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 KAIST

Südkoreanische technische Universität und Forschungsinstitution mit Fokus auf Ingenieurwissenschaften, Naturwissenschaften und Technologieentwicklung, unter anderem in Robotik und Elektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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