Systems and methods for growth of silicon carbide over a layer comprising graphene and/or hexagonal boron nitride and related articles

WO2019246515 Art A1 26. Dezember 2019

Anmelder: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY, ROHM CO., LTD., THE GOVERNMENT OF THE UNITED STATE OF AMERICA, as 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019246515
Aktenzeichen: EP19821745
Anmeldetag: 21. Juni 2019
Veröffentlichung: 26. Dezember 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/36H01L21/318H01L21/3205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
ROHM CO., LTD.
THE GOVERNMENT OF THE UNITED STATE OF AMERICA, as
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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