Graphene Channel Silicon Carbide Power Semiconductor Transistor
WO2020000713
Art A1
2. Januar 2020
Anmelder: Southeast University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020000713
- Aktenzeichen
- EP18924468
- Anmeldetag
- 25. September 2018
- Veröffentlichung
- 2. Januar 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/78H01L29/267
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Southeast University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Southeast University
Chinesische Universität mit Sitz in Nanjing, Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.
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