High performance memristor device based on oxygen concentration gradient of metal oxide, and preparation thereof

WO2020001328 Art A1 2. Januar 2020

Anmelder: Huazhong University of Science and Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020001328
Aktenzeichen: EP19826102
Anmeldetag: 18. Juni 2019
Veröffentlichung: 2. Januar 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L45/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Huazhong University of Science and Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Huazhong University of Science and Technology

Die Huazhong University of Science and Technology ist eine chinesische Universität mit Sitz in Wuhan und breiter technischer sowie medizinischer Forschung. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Mess-, Prüf- und Zeitmesstechnik sowie Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt durch Software und Medizintechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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