Method for fabricating transistor gate, as well as transistor structure
WO2020001549
Art A1
2. Januar 2020
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020001549
- Aktenzeichen
- EP19827336
- Anmeldetag
- 27. Juni 2019
- Veröffentlichung
- 2. Januar 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/28H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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