Planar Hall Effect Sensors

WO2020003309 Art A1 2. Januar 2020

Anmelder: BAR-ILAN UNIVERSITY, B. G. NEGEV TECHNOLOGIES AND APPLICATIONS LTD., AT 🇮🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020003309
Aktenzeichen: EP19825060
Anmeldetag: 25. Juni 2019
Veröffentlichung: 2. Januar 2020
Rechtsraum: WO
IPC: G01R33/07G01R33/00G01R15/20H01L43/06H01L27/22

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: BAR-ILAN UNIVERSITY
B. G. NEGEV TECHNOLOGIES AND APPLICATIONS LTD., AT
Land: 🇮🇱 Israel

🇮🇱 Bar-Ilan University

Bar-Ilan University ist eine israelische Universität mit umfangreicher Patentaktivität aus der akademischen Forschung. Das Portfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Mess- und Halbleitertechnik. Die Titel reichen von retinalen Neuroprothesen bis zu kryptografischen Verfahren.

289 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

Vertreten von