Silicon carbide semiconductor device
WO2020004067
Art A1
2. Januar 2020
Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020004067
- Aktenzeichen
- EP19825582
- Anmeldetag
- 13. Juni 2019
- Veröffentlichung
- 2. Januar 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/78H01L21/28H01L21/336H01L29/12H01L29/417
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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