Silicon carbide semiconductor device

WO2020004067 Art A1 2. Januar 2020

Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2020004067
Aktenzeichen
EP19825582
Anmeldetag
13. Juni 2019
Veröffentlichung
2. Januar 2020
Rechtsraum
WO
IPC
H01L29/78H01L21/28H01L21/336H01L29/12H01L29/417
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

4.812 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen