Improving azimuthal critical dimension non-uniformity for double patterning process
WO2020005931
Art A1
2. Januar 2020
Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020005931
- Aktenzeichen
- EP19824665
- Anmeldetag
- 25. Juni 2019
- Veröffentlichung
- 2. Januar 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/67H01L21/02H01L21/311H01L21/027
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM RESEARCH CORPORATION
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
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