Method for producing metal oxynitride film

WO2020008294 Art A1 9. Januar 2020

Anmelder: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020008294
Aktenzeichen: EP19830062
Anmeldetag: 24. Juni 2019
Veröffentlichung: 9. Januar 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/363C23C14/06C23C14/08C23C14/34H01L29/786H01L33/16

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

4.187 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von