Device-layer-transferred substrate production method and device layer-transferred substrate

WO2020008882 Art A1 9. Januar 2020

Anmelder: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020008882
Aktenzeichen: EP19829996
Anmeldetag: 19. Juni 2019
Veröffentlichung: 9. Januar 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02C09J183/04G02F1/13G09F9/00H01L21/304H01L21/306H01L27/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Chemical

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.

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Fachgebiete

Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik Farben, Klebstoffe & Brennstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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