Growth method for p-type algan semiconductor material

WO2020010525 Art A1 16. Januar 2020

Anmelder: SUN YAT-SEN UNIVERSITY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020010525
Aktenzeichen: EP18925913
Anmeldetag: 10. Juli 2018
Veröffentlichung: 16. Januar 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SUN YAT-SEN UNIVERSITY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Sun Yat-Sen University

Die Sun Yat-Sen University ist eine bedeutende chinesische Forschungsuniversität mit Hauptsitz in Guangzhou. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie Software und Datenverarbeitung, ergänzt um organische Chemie und Pharma. Anmeldungen sind seit 2003 dokumentiert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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