Thin film with bismuth ferrite solid solution doped at b-site, preparation method therefor and use thereof

WO2020010559 Art A1 16. Januar 2020

Anmelder: Shenzhen Institutes of Advanced Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020010559
Aktenzeichen: EP18926363
Anmeldetag: 12. Juli 2018
Veröffentlichung: 16. Januar 2020
Rechtsraum: WO
IPC: C04B35/26

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Shenzhen Institutes of Advanced Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Shenzhen Institutes of Advanced Technology

Chinesisches Forschungsinstitut in Shenzhen unter der Chinesischen Akademie der Wissenschaften mit Schwerpunkten in Robotik, Biomedizintechnik und neuen Materialien.

2.775 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe

Vertreten von