Gain Cell Embedded Dram in Fully Depleted Silicon-On-Insulator Technology

WO2020012470 Art A1 16. Januar 2020

Anmelder: BAR-ILAN UNIVERSITY 🇮🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020012470
Aktenzeichen: EP19834090
Anmeldetag: 9. Juli 2019
Veröffentlichung: 16. Januar 2020
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/00G11C11/403G11C7/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: BAR-ILAN UNIVERSITY
Land: 🇮🇱 Israel

🇮🇱 Bar-Ilan University

Bar-Ilan University ist eine israelische Universität mit umfangreicher Patentaktivität aus der akademischen Forschung. Das Portfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Mess- und Halbleitertechnik. Die Titel reichen von retinalen Neuroprothesen bis zu kryptografischen Verfahren.

289 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

Vertreten von