High-purity chalcogenide material and method for producing same
WO2020013191
Art A1
16. Januar 2020
Anmelder: KYOTO UNIVERSITY 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020013191
- Aktenzeichen
- EP19835121
- Anmeldetag
- 9. Juli 2019
- Veröffentlichung
- 16. Januar 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C01G19/00C01G17/00C30B29/46
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- KYOTO UNIVERSITY
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Kyoto University
Renommierte japanische Universität mit breiter Grundlagenforschung in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.
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Vertreten von
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