Composition for etching silicon nitride film and method for etching silicon nitride film by using same

WO2020013485 Art A1 16. Januar 2020

Anmelder: SAMSUNG SDI CO., LTD. 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020013485
Aktenzeichen: EP19833054
Anmeldetag: 26. Juni 2019
Veröffentlichung: 16. Januar 2020
Rechtsraum: WO
IPC: C09K13/06H01L21/3213

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SAMSUNG SDI CO., LTD.
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Samsung SDI

Südkoreanisches Unternehmen der Samsung-Gruppe, das Batterien und Energiespeichersysteme für Elektrofahrzeuge, Elektronikgeräte und stationäre Anwendungen entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Farben, Klebstoffe & Brennstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von