P-n diodes and p-n-p heterojunction bipolar transistors with diamond collectors and current tunneling layers

WO2020013924 Art A1 16. Januar 2020

Anmelder: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020013924
Aktenzeichen: EP19833645
Anmeldetag: 29. Mai 2019
Veröffentlichung: 16. Januar 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/861H01L29/66H01L29/73H01L21/02H01L21/324H01L27/02

Offizieller Volltext

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Firma: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Wisconsin Alumni Research Foundation

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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