Three-Dimensional Memory Devices

WO2020014981 Art A1 23. Januar 2020

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020014981
Aktenzeichen: EP18926525
Anmeldetag: 20. Juli 2018
Veröffentlichung: 23. Januar 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11582H01L27/1157

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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