Si substrate-based gan radio frequency device epitaxial structure and manufacturing method therefor

WO2020015764 Art A1 23. Januar 2020

Anmelder: ZHONGSHAN INSTITUTE OF MODERN INDUSTRIAL, SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY, SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020015764
Aktenzeichen: EP19837043
Anmeldetag: 16. September 2019
Veröffentlichung: 23. Januar 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/778H01L29/06H01L21/335

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: ZHONGSHAN INSTITUTE OF MODERN INDUSTRIAL, SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 South China University of Technology

Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.

1.295 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von